Полевые транзисторы. Еще в 1930 Лилиенфельд делал попытки управлять проводимостью поверхностного слоя в полупроводниковом материале. В 1948 Шокли и Пирсон сообщили в печати об управлении токами за счет поверхностного полевого эффекта. Но лишь в начале 1960-х годов появился практически пригодный МОП-транзистор (металл – оксид – полупроводник). В отличие от биполярного кремниевого транзистора, МОП-транзистор является униполярным, т.е. его действие основано на управлении основными носителями.

Изложим принцип действия униполярного полевого транзистора – как объемного, так и поверхностного.

Полевой МОП-транзистор. Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуточной областью наращивается тонкий изолирующий слой (толщиной 200 нм и менее) диоксида кремния. На него наносят слой металла или кремния, который служит управляющим электродом (рис. 6). Такое устройство и называется полевым транзистором со структурой металл – оксид –полупроводник (МОП-транзистором). При подаче на управляющий электрод положительного напряжения возникает сильное электрическое поле, которое притягивает электроны к поверхности кремния, и образуется проводящий канал n-типа, соединяющий исток со стоком. Режим с положительным напряжением называется режимом обогащения. Можно изготавливать приборы, открытые в отсутствие внешнего напряжения. Отрицательное напряжение в них сужает канал и повышает его сопротивление; такой режим называется режимом обеднения. Изготавливаются также транзисторы с каналом p-типа.

(29.49 Кб)

В процессе работы МОП-транзистора с n-каналом электроны, являющиеся основными носителями, выходя из истока, входят в канал и втягиваются в сток, который при этом приобретает положительное смещение относительно истока. Ток электронов модулируется напряжением на затворе. Как только потенциал стока, нарастая, сравняется с разностью потенциалов затвора и истока, ширина канала уменьшается до нуля и происходит так называемая отсечка. При дальнейшем повышении выходного напряжения на стоке ток остается почти постоянным.

Поскольку ток от затвора через диэлектрик практически отсутствует, входной импеданс полевого МОП-транзистора необычайно велик. Поэтому на затворе может длительное время сохраняться заряд, что позволяет создавать простые и изящные полупроводниковые запоминающие устройства. Благодаря этой интересной особенности полевых МОП-транзисторов и их малым размерам они приобрели важное значение в электронной промышленности.

ПТ с управляющим p-n-переходом. В таком полевом транзисторе контакты подводятся к полоскам в «кармане» высокоомного полупроводника n-типа. Наружная полоска является истоком; средняя полоска – сток – положительна относительно источника, так что от истока к стоку текут основные носители (электроны). Области затвора (p-типа) расположены в верхнем и нижнем слоях и соединены между собой диффузионно (рис. 6).

В рабочем режиме на p-n-переход подается напряжение обратного смещения, так что в область n-типа распространяется зона обеднения. Изменяя обратное смещение на затворе, можно управлять шириной канала между затворами и модулировать ток. При достаточно большом напряжении происходит отсечка. Изменяя сочетания напряжений на затворе и стоке, можно сделать так, чтобы насыщение тока достигалось на любом постоянном уровне тока вплоть до нуля.

ПТ с управляющим p-n-переходом отличается очень высоким входным импедансом и очень низким уровнем шума. Поэтому он хорошо подходит для входного каскада тюнеров-усилителей.

назад   дальше