Вывести на печать

ТРАНЗИСТОРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Выше мы рассматривали транзисторы главным образом в теоретическом плане. Рассмотрим теперь некоторые основные технологии.

Точечные транзисторы. Первым прибором, позволившим получить заметное усиление тока, был точечный транзистор Браттейна и Бардина. Такой транзистор представляет собой кусочек германия n-типа, припаянный к металлическому основанию, которое играет роль базового контакта. Эмиттерным и коллекторным контактами служат две заостренные бронзовые проволочки, прижатые концами к противоположной стороне германиевого элемента (рис. 3). Если расстояние между такими точечными контактами достаточно мало (порядка нескольких десятков микрометров), то можно получить коэффициент усиления тока, превышающий единицу. Удовлетворительный эмиттер можно сделать почти из любого металла, но хороший коллектор обязательно должен содержать примесь n-типа. Коллекторные контакты формируются подачей на коллекторный вывод импульса сильного тока. При этом медь проволочки с большой скоростью диффундирует в материал n-типа коллектора (германий) и в небольшой области превращает его в материал p-типа. Медленно же диффундирующий материал примеси (скажем, фосфор) в непосредственной близости от контакта снова превращает материал в германий n-типа. В результате образуется структура pnpn-транзистора (транзистора с коллекторной ловушкой). Теория, объясняющая работу точечного транзистора образованием pnpn-структуры, оказалась наиболее приемлемой.

(6.89 Кб)

Точечные транзисторы были трудно воспроизводимы при изготовлении и неустойчивы во времени. Когда в 1949 Шокли опубликовал свою теорию транзистора с p-n-переходами, внимание исследователей переключилось на транзисторы с выращенными переходами.

Транзисторы с выращенными переходами. Для изготовления первых точечных транзисторов использовался поликристаллический материал с неоднородными характеристиками. Для выращенных переходов требовались германий с содержанием загрязнений менее 1Ч10–8 и технология, которая позволяла бы изменять содержание примеси на величину порядка 1Ч10–7.

Зонная очистка. Самый эффективный способ получения кристаллов германия нужной степени чистоты – метод зонной очистки (плавки) – был предложен в начале 1950-х годов У.Пфанном. По этому методу слиток германия, загрязненного примесями, длиной ок. 50 см помещается в графитовой лодочке в длинную горизонтальную кварцевую трубу, которая проходит через ряд нагревательных индукционных катушек. Каждая из них создает узкую зону расплавленного германия, перемешающуюся вдоль слитка со скоростью ок. 25 см/ч. Примеси вместе с движущимися зонами расплава перемещаются к концу слитка, где их собирают и удаляют в отходы. Германий, полученный таким методом, – это, пожалуй, самый чистый из существующих материалов. Далее требует решения вопрос о легировании германия в кристаллической форме. См. также ЗОННАЯ ПЛАВКА.

назад   дальше



ТРАНЗИСТОР
Историческая справка
ТЕОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
p-n-Переход
Транзистор
ТРАНЗИСТОРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Точечные транзисторы
Транзисторы с выращенными переходами
Зонная очистка
Вытягивание кристаллов
Сплавные плоскостные транзисторы
Зонное выравнивание
Диффузионные германиевые транзисторы
Биполярные планарные транзисторы
Эпитаксиальные транзисторы
Ионная имплантация
Двоичное переключение
Тиристоры
Фототранзистор
Полевые транзисторы
ПТ с управляющим p-n-переходом
Недостатки и надежность
Прогноз на будущее
Литература

Дополнительные опции

Популярные рубрики:

Страны мира Науки о Земле Гуманитарные науки История Культура и образование Медицина Наука и технология


Добавьте свои работы

Помогите таким же студентам, как и вы! Загрузите в Интернет свои работы, чтобы они стали доступны всем! Сделать это лучше через платформу BIBLIOTEKA.BY. Принимаем курсовые, дипломы, рефераты и много чего еще ;- )

Опубликовать работы →

Последнее обновление -
29/03/2024

Каждый день в нашу базу попадают всё новые и новые работы. Заходите к нам почаще - следите за новинками!

Мобильная версия

Можете пользоваться нашим научным поиском через мобильник или планшет прямо на лекциях и занятиях!