Students.by - это живая энциклопедия белорусского студента (статьи, книги, мультимедиа). Еще мы предлагаем поиск по лучшим полнотекстовым научным хранилищам Беларуси!
|
p-n-Переход. В соединенных вместе кусочках полупроводников n и p-типа ближайшие к границе электроны будут переходить из n-области в p-область, а ближайшие дырки навстречу им, из p-области в n-область. Сам переход будет образован из положительно заряженных доноров, потерявших свои электроны, на n-стороне, и из отрицательно заряженных акцепторов, потерявших свои дырки, на p-стороне. При этом переход уподобляется заряженному конденсатору, на обкладках которого есть некоторое напряжение. Перетекание электронов и дырок через переход прекращается, как только заряженные ионы создадут на нем напряжение, равное и противоположное контактному потенциалу (напряжению), обусловленному различием знака избыточного заряда в полупроводнике. Если на переход подать соответствующее внешнее напряжение, то ионизуются (теряют свои электроны и дырки) дополнительные доноры и акцепторы, причем в таком количестве, что переход только-только поддерживает приложенное напряжение. Ценность перехода в том, что он позволяет управлять потоком электронов или дырок, т.е. током. Возьмем типичный случай, когда p-сторона сильно легирована, а n-сторона легирована значительно слабее. Если на переход подать такое напряжение, при котором p-сторона положительна, а n-сторона отрицательна, то внешнее напряжение скомпенсирует внутреннее, т. е. понизит внутренний барьер перехода и тем самым сделает возможным перетекание больших количеств основных носителей (дырок) через барьер. Так, подавая небольшое напряжение в «прямом» направлении, можно управлять большими токами. Если изменить знак внешнего напряжения на обратный (так, чтобы p-сторона была отрицательна, а n-сторона положительна), то оно еще больше повысит внутренний барьер и полностью перекроет поток основных носителей. (Правда, небольшому количеству неосновных носителей будет легче перетекать через барьер.) Если постепенно повышать «обратное» напряжение, то в конце концов произойдет электрический пробой, и переход может оказаться поврежденным из-за перегрева. Фактическое пробивное напряжение зависит от вида и степени легирования слабо легированной стороны перехода. В устройствах разной конструкции пробивное напряжение может изменяться от 1 до 15 000 В.Таким образом, одиночный p-n-переход может служить выпрямителем, пропускающим ток в одном направлении и не пропускающим в противоположном. В прямом направлении возможны очень большие токи при напряжении менее 1 В; в обратном же направлении при напряжениях ниже пробивного возможны лишь токи порядка пикоампера (1012А). Мощные выпрямители могут работать при токах порядка 5000 А, тогда как в устройствах для управления сигнальными токами токи обычно не превышают нескольких миллиампер. Транзистор. Обычный (биполярный) транзистор, подобно сэндвичу, состоит из двух близко расположенных («спина к спине») переходов, образующих две отдельные области. Поэтому возможны два типа транзисторов: pnp и npn. В транзисторе входная внешняя область называется эмиттером, средняя область базой, а выходная внешняя область коллектором. На рис. 2 представлен транзистор npn-типа. Если база ни к чему не присоединена, то при всех напряжениях на коллекторе и эмиттере ниже пробивного возможен лишь ток утечки. При нормальной работе транзистора в качестве усилителя на эмиттере имеется некоторое напряжение прямого смещения, а на коллекторе обратного. Для создания прямого смещения в область базы вводится небольшой ток. При этом в диоде эмиттер база возникает слабое электрическое поле, вследствие чего эмиттер инжектирует в базу заряд. Если толщина базы достаточно мала, то весь этот заряд собирается коллектором. Поскольку напряжение эмиттер база мало (около 0,6 В), а напряжение коллектор база велико (как правило, 550 В), получается большой выигрыш в напряжении, а также в мощности, т.е. усиление. В транзисторе npn-типа электроны инжектируются в базу эмиттером с напряжением прямого смещения под управлением малого дырочного тока базы и собираются смещенным в обратном направлении (положительным) коллектором. В транзисторах pnp-типа ток дырок, инжектируемых эмиттером, управляется электронами, которые инжектирует база, и коллектор находится под отрицательным потенциалом. Такова суть транзисторного действия. В названии транзистора (транзит, резистор) отражено то, что ток под внешним воздействием пропускается через слой повышенного сопротивления базу. (6.22 Кб) |
|