 |
|
|
Рис. 6. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР. Управление током осуществляется посредством затворов. Такие транзисторы, изготовленные МОП-методом (слева) или методом диффузии (справа), являются униполярными, т.е. в них активную роль играют носители только одного типа. Полевые МОП-транзисторы с электронами в качестве носителей называются n-МОП-транзисторами (а те, в которых носителями служат дырки, называются p-МОП-транзисторами). В n-МОП-транзисторе имеются две области n-типа, сформированные в подложке из кремния p-типа. Затвор – это электрод, изолированный от полупроводника тонким слоем диоксида кремния. В транзисторе, работающем в режиме обогащения, положительный потенциал, под которым находится сток, оказывает притягивающее действие на электроны источника. Но они не могут проходить через кремний p-типа с высокой концентрацией дырок. Когда же на затворе создается положительный заряд, возникающее при этом электрическое поле притягивает электроны к поверхности и здесь в тонком слое образуется проводящий канал, по которому ток проходит от истока. В n-МОП-транзисторе, работающем в режиме обеднения, между истоком и стоком имеется непрерывный проводящий канал из кремния n-типа, так что в нормальном состоянии транзистор пропускает ток. При подаче же на затвор отрицательного напряжения ток прекращается, так как электроны выталкиваются из канала. В полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом электроны текут от истока к стоку. Ток электронов модулируется изменением напряжений на затворе и стоке. Поскольку МОП-транзисторы не требуют изолирующих островков, они допускают более высокую плотность «упаковки» на микросхеме, чем биполярные транзисторы. а – полевой n-МОП-транзистор; б – ПТ с управляющим p-n-переходом.
|
|
