Вывести на печать

Ионная имплантация. Контроль за толщиной базы, необходимый для изготовления СВЧ-транзисторов, удалось осуществить методом ионной имплантации. Ионы нужной легирующей примеси ускоряют в линейном ускорителе и имплантируют в полупроводник (кремний) на глубину порядка нескольких десятых микрометра (эта глубина зависит от вида иона и от напряжения ускорителя). Измеряя ток ионного пучка, можно очень точно регулировать глубину внедрения и количество внедряемой примеси. Затем кремний отжигают для устранения радиационных повреждений. Обычно процедуру ионной имплантации дополняют диффузией для достижения нужной глубины перехода. Ионная имплантация очень удобна также для точного формирования диффузионных резисторов в интегральных схемах. См. также ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА; УСКОРИТЕЛЬ ЧАСТИЦ.

Двоичное переключение. Почти любая неречевая информация и сама речь могут быть преобразованы устройствами для двоичного переключения. Рассчитав соответствующим образом схему, можно сделать так, чтобы за время некоего импульса тока коллектор достигал насыщения. При этом напряжение на коллекторном переходе, номинально равное 5 В, падает до нескольких десятых вольта. Когда же транзистор переходит в закрытое состояние, это напряжение возвращается к прежнему значению. Таким образом, у транзистора имеются два состояния – «открыто» и «закрыто», что соответствует 0 и 1 на языке логического переключения. На такой двоичный цифровой язык может быть переведена любая информация, в частности, снимки из космоса, телефонный разговор, условия коммерческой сделки.

За время импульса тока в областях коллектора и базы накапливается заряд. Чтобы транзистор вернулся в свое закрытое состояние большого напряжения, накопленный заряд должен рассеяться. Для ускорения такого процесса вводят центры рекомбинации – обычно атомы золота в небольшом количестве, – которые облегчают рекомбинацию избыточных электронов и дырок. В правильно спроектированном транзисторе могут быть достигнуты времена переключения в закрытое состояние порядка нескольких наносекунд. Такое быстродействие открывает широкие возможности применения транзисторов для цифрового переключения.

Тиристоры. Для схем с очень высокими напряжениями и очень большими токами созданы полупроводниковые приборы, называемые тиристорами. Один тиристор может работать при напряжениях до 4000 В и токах до 4000 А. В преобразователях тиристоры соединяют в каскады, рассчитанные на четверть миллиона вольт и более.

Тиристор состоит из двух транзисторов (npn и pnp), расположенных так, что коллектор pnp-части тиристора является базой npn-части, а коллектор npn-части – базой pnp-части. Если инжектировать небольшой ток в базу npn-части, то он создаст для эмиттера прямое смещение, и возникнет ток эмиттера. Этот ток, собранный коллектором npn-части, становится током базы pnp-части, который вызывает появление тока эмиттера этой части. Такой процесс будет повторяться до тех пор, пока вокруг общего коллекторного перехода не соберется заряд, достаточный для нейтрализации связанного заряда, и тогда напряжение на нем понизится до уровня ~0,7 В, соответствующего насыщению. Так происходит «включение» тиристора. «Выключается» же он при понижении тока ниже некоторого порогового уровня, называемого удерживающим током. Если сделать площадь эмиттера достаточно большой, то легко можно переключать колоссальные токи.

Тиристоры пропускают ток только в одном периоде переменного тока; лишь с изобретением симистора появился настоящий полупроводниковый переключатель переменного тока для регуляторов электродвигателей, регуляторов освещенности и других устройств. Симистор состоит из двух выполненных на одной кремниевой пластинке тиристоров, включенных параллельно, но противоположно. Один из тиристоров пропускает ток в одном полупериоде, а другой – в следующем. Для включения симистора предусматривается управляющий электрод. Чтобы выключить его, нужно прервать ток. Интересной особенностью симисторов является то, что они проводят ток любого направления и могут переключаться либо положительным, либо отрицательным управляющим сигналом.

назад   дальше



ТРАНЗИСТОР
Историческая справка
ТЕОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
p-n-Переход
Транзистор
ТРАНЗИСТОРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Точечные транзисторы
Транзисторы с выращенными переходами
Зонная очистка
Вытягивание кристаллов
Сплавные плоскостные транзисторы
Зонное выравнивание
Диффузионные германиевые транзисторы
Биполярные планарные транзисторы
Эпитаксиальные транзисторы
Ионная имплантация
Двоичное переключение
Тиристоры
Фототранзистор
Полевые транзисторы
ПТ с управляющим p-n-переходом
Недостатки и надежность
Прогноз на будущее
Литература

Дополнительные опции

Популярные рубрики:

Страны мира Науки о Земле Гуманитарные науки История Культура и образование Медицина Наука и технология


Добавьте свои работы

Помогите таким же студентам, как и вы! Загрузите в Интернет свои работы, чтобы они стали доступны всем! Сделать это лучше через платформу BIBLIOTEKA.BY. Принимаем курсовые, дипломы, рефераты и много чего еще ;- )

Опубликовать работы →

Последнее обновление -
27/04/2024

Каждый день в нашу базу попадают всё новые и новые работы. Заходите к нам почаще - следите за новинками!

Мобильная версия

Можете пользоваться нашим научным поиском через мобильник или планшет прямо на лекциях и занятиях!